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2SK3565(Q,M)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: 2SK3565(Q,M)
Descrição: MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série π-MOSIV
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 45W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 900V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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