2SK3868(Q,M)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | 2SK3868(Q,M) |
Descrição: | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Bulk |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 2.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 35W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220SIS |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 500V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 91 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1