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4N35(SHORT,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Folha de dados: 4N35(SHORT,F)
Descrição: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Série -
Embalagem Tube
Tipo de entrada DC
Tipo de saída Transistor with Base
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Número da parte base 4N35
Número de canais 1
Tensão - Isolamento 2500Vrms
Vce Saturação (Max) 300mV
Temperatura operacional -55°C ~ 100°C
Rise / Fall Time (Typ) -
Tensão - Saída (Max) 30V
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-DIP
Corrente - Saída / Canal 100mA
Índice de Transferência Atual (Máximo) -
Índice de Transferência Atual (Min) 40% @ 10mA
Tensão - Forward (Vf) (Typ) 1.15V
Ativar / Desligar o tempo (Typ) 3µs, 3µs
Atual - DC Forward (Se) (Max) 60mA

Em estoque 75 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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