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6N139(F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Folha de dados: 6N139(F)
Descrição: OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Série -
Embalagem Tube
Tipo de entrada DC
Tipo de saída Darlington with Base
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Número da parte base 6N139
Número de canais 1
Tensão - Isolamento 2500Vrms
Vce Saturação (Max) -
Temperatura operacional 0°C ~ 70°C
Rise / Fall Time (Typ) -
Tensão - Saída (Max) 18V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-DIP
Corrente - Saída / Canal 60mA
Índice de Transferência Atual (Máximo) -
Índice de Transferência Atual (Min) 500% @ 1.6mA
Tensão - Forward (Vf) (Typ) 1.65V
Ativar / Desligar o tempo (Typ) 200ns, 1µs
Atual - DC Forward (Se) (Max) 20mA

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