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BAS316,H3F
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Folha de dados: | BAS316,H3F |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Tipo de diodo | Standard |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SC-76, SOD-323 |
| Capacitance @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | USC |
| Tempo de recuperação reverso (trr) | 3ns |
| Atual - Vazamento reverso @ Vr | 200nA @ 80V |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Atual - Médio Corrigido (Io) | 250mA |
| Temperatura operacional - Junção | 150°C (Max) |
| Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se | 1.25V @ 150mA |
Em estoque 65 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
Mínimo: 1
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