GT10J312(Q)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - IGBTs - Single |
Folha de dados: | GT10J312(Q) |
Descrição: | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - IGBTs - Single |
Série | - |
Tipo IGBT | - |
Embalagem | Tube |
Tipo de entrada | Standard |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 60W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Condição de teste | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
Número da parte base | GT10 |
Comutação de energia | - |
Td (on/off) @ 25°C | 400ns/400ns |
Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220SM |
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Tempo de recuperação reverso (trr) | 200ns |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 10A |
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) | 20A |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 600V |
Em estoque 80 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1