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GT10J312(Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: GT10J312(Q)
Descrição: IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT -
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 60W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condição de teste 300V, 10A, 100Ohm, 15V
Número da parte base GT10
Comutação de energia -
Td (on/off) @ 25°C 400ns/400ns
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220SM
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Tempo de recuperação reverso (trr) 200ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 10A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 20A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 80 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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