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HN1B01FU-Y(L,F,T)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Folha de dados: HN1B01FU-Y(L,F,T)
Descrição: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor NPN, PNP
Temperatura operacional 125°C (TJ)
Frequência - Transição 120MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores US6
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 150mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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