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HN1B04F(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Folha de dados: HN1B04F(TE85L,F)
Descrição: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 300mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor NPN, PNP
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SM6
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 500mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 30V

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