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HN3C51F-BL(TE85L,F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Folha de dados: HN3C51F-BL(TE85L,F
Descrição: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 300mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor 2 NPN (Dual)
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 100MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SM6
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 2mA, 6V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 120V

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