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HN4B01JE(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Folha de dados: HN4B01JE(TE85L,F)
Descrição: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-553
Tipo de transistor NPN, PNP (Emitter Coupled)
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 80MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores ESV
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 150mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10MA, 100MA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 435 pcs

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