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MT3S111TU,LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Folha de dados: | MT3S111TU,LF |
| Descrição: | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Ganhar | 12.5dB |
| Série | - |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 800mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 3-SMD, Flat Leads |
| Tipo de transistor | NPN |
| Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
| Frequência - Transição | 10GHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | UFM |
| Figura do ruído (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 6V |
Em estoque 57 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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