MT3S113TU,LF
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Folha de dados: | MT3S113TU,LF |
Descrição: | RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Ganhar | 12.5dB |
Série | - |
Embalagem | Digi-Reel® |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 900mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 3-SMD, Flat Leads |
Tipo de transistor | NPN |
Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
Frequência - Transição | 11.2GHz |
Pacote de dispositivos de fornecedores | UFM |
Figura do ruído (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 5.3V |
Em estoque 5960 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1