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MT3S113TU,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Folha de dados: MT3S113TU,LF
Descrição: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganhar 12.5dB
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 900mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 3-SMD, Flat Leads
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 11.2GHz
Pacote de dispositivos de fornecedores UFM
Figura do ruído (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 5.3V

Em estoque 5960 pcs

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