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MT3S20P(TE12L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Folha de dados: MT3S20P(TE12L,F)
Descrição: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganhar 16.5dB
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.8W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-243AA
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 7GHz
Pacote de dispositivos de fornecedores PW-MINI
Figura do ruído (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 80mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 12V

Em estoque 610 pcs

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