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RN1109CT(TPL3)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: RN1109CT(TPL3)
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Cut Tape (CT)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 50mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-101, SOT-883
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Pacote de dispositivos de fornecedores CST3
Resistor - Base de Emissores (R2) 22 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 50mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 20V

Em estoque 63 pcs

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