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RN1113MFV,L3F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: RN1113MFV,L3F
Descrição: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Parte Status Active
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-723
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Pacote de dispositivos de fornecedores VESM
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 69 pcs

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