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RN1425TE85LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: RN1425TE85LF
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número da parte base RN142*
Resistor - Base (R1) 470 Ohms
Frequência - Transição 300MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores S-Mini
Resistor - Base de Emissores (R2) 10 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 800mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 66 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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