RN1910,LF(CT
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Folha de dados: | RN1910,LF(CT |
Descrição: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Série | - |
Embalagem | Digi-Reel® |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
Frequência - Transição | 250MHz |
Pacote de dispositivos de fornecedores | US6 |
Resistor - Base de Emissores (R2) | - |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 2425 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1