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RN1910FE,LF(CT

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: RN1910FE,LF(CT
Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequência - Transição 250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores ES6
Resistor - Base de Emissores (R2) -
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 5250 pcs

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