Image is for reference only , details as Specifications

RN2101ACT(TPL3)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: RN2101ACT(TPL3)
Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-101, SOT-883
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Pacote de dispositivos de fornecedores CST3
Resistor - Base de Emissores (R2) 4.7 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 80mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 80 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

RN2113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0