Image is for reference only , details as Specifications
RN2110MFV,L3F
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Folha de dados: | RN2110MFV,L3F |
| Descrição: | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Série | - |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 150mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-723 |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | VESM |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 51 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
Mínimo: 1
Citação de solicitação
Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível
Bargain Finds
