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RN2706JE(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: RN2706JE(TE85L,F)
Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-553
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores ESV
Resistor - Base de Emissores (R2) 47kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 71 pcs

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