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RN2712JE(TE85L,F)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Folha de dados: | RN2712JE(TE85L,F) |
| Descrição: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Série | - |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 100mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-553 |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Frequência - Transição | 200MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ESV |
| Resistor - Base de Emissores (R2) | - |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 4000 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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