Image is for reference only , details as Specifications

RN2901(T5L,F,T)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: RN2901(T5L,F,T)
Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores US6
Resistor - Base de Emissores (R2) 4.7kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 74 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

RN2971FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2969FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0