Image is for reference only , details as Specifications

RN2901FE(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: RN2901FE(TE85L,F)
Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores ES6
Resistor - Base de Emissores (R2) 4.7kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 3301 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

Z0410NF 1AA2
STMicroelectronics
$0.31
LX803DEAP
Littelfuse Inc.
$0.31
L0107DERP
Littelfuse Inc.
$0.31
L0107DEAP
Littelfuse Inc.
$0.31
BCR3AS-12B-T13#B01
Renesas Electronics America
$0.3