RN2903FE(TE85L,F)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Folha de dados: | RN2903FE(TE85L,F) |
Descrição: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Série | - |
Embalagem | Digi-Reel® |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
Frequência - Transição | 200MHz |
Pacote de dispositivos de fornecedores | ES6 |
Resistor - Base de Emissores (R2) | 22kOhms |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 4000 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1