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RN4985,LF(CT

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados:	RN4985,LF(CT
Descrição:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série	-
Embalagem	Digi-Reel®
Parte Status	Active
Potência - Máximo	200mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1)	2.2kOhms
Frequência - Transição	250MHz, 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores	US6
Resistor - Base de Emissores (R2)	47kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	100mA
Atual - Corte de colecionador (Max)	100µA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	50V