Image is for reference only , details as Specifications

SSM6H19NU,LF

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SSM6H19NU,LF
Descrição:	MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVII-H
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185mOhm @ 1A, 8V
Dissipação de energia (Max)	1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-UDFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.2V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V