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SSM6J212FE,LF

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SSM6J212FE,LF
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVI
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-563, SOT-666
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	500mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	ES6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.1nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	970pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V