SSM6J501NU,LF
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | SSM6J501NU,LF |
Descrição: | MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | U-MOSVI |
Fet tipo | P-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3mOhm @ 4A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 1W (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-UDFNB (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.9nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Em estoque 3983 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1