Image is for reference only , details as Specifications

SSM6N15AFE,LM

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SSM6N15AFE,LM
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo	150mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-563, SOT-666
Número da parte base	SSM6N15
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 10mA, 4V
Pacote de dispositivos de fornecedores	ES6 (1.6x1.6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7.8pF @ 3V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	100mA