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SSM6N815R,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SSM6N815R,LF
Descrição: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série U-MOSVIII-H
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate, 4V Drive
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.8W (Ta)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-SMD, Flat Leads
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Temperatura operacional 150°C
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP-F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2A (Ta)

Em estoque 1135 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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