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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Descrição: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série U-MOSVI
Fet tipo P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) +10V, -20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max) 90W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores DPAK+
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6510pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 60A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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