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TJ80S04M3L(T6L1,NQ
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | TJ80S04M3L(T6L1,NQ |
| Descrição: | MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3 |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | U-MOSVI |
| Fet tipo | P-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Temperatura operacional | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 100W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | DPAK+ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 40V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7770pF @ 10V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Em estoque 80 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.88 | $0.86 | $0.85 |
Mínimo: 1
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