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TK100E06N1,S1X

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TK100E06N1,S1X
Descrição:	MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVIII-H
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	255W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V