A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

TK10A60W,S4X

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TK10A60W,S4X
Descrição:	MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	DTMOSIV
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	30W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V