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TK10J80E,S1E

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TK10J80E,S1E
Descrição:	MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	π-MOSVIII
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	250W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-3P(N)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V