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TK10Q60W,S1VQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TK10Q60W,S1VQ
Descrição: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DTMOSIV
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipação de energia (Max) 80W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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