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TK10V60W,LVQ

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TK10V60W,LVQ
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	DTMOSIV
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Super Junction
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	4-VSFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	88.3W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	4-DFN-EP (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V