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TK160F10N1L,LQ

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TK160F10N1L,LQ
Descrição:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVIII-H
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Temperatura operacional	175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)	375W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220SM(W)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	160A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V