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TK17E65W,S1X

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TK17E65W,S1X
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	DTMOSIV
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 900µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 8.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)	165W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	17.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V