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TK35N65W,S1F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TK35N65W,S1F
Descrição: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DTMOSIV
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 270W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 35A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 53 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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