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TK380A60Y,S4X

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TK380A60Y,S4X
Descrição: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DTMOSV
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 360µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipação de energia (Max) 30W
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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