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TK4R3E06PL,S1X

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TK4R3E06PL,S1X
Descrição: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série U-MOSIX-H
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 15A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 87W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.2nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3280pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 1558 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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