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TK62N60X,S1F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TK62N60X,S1F
Descrição: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DTMOSIV-H
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Super Junction
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3.1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 21A, 10V
Dissipação de energia (Max) 400W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 61.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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