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TK6A80E,S4X
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | TK6A80E,S4X |
| Descrição: | MOSFET N-CH 800V TO220SIS |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | π-MOSVIII |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tube |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 600µA |
| Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 3A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 45W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220SIS |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 800V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 50 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.80 | $1.76 | $1.73 |
Mínimo: 1
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