Image is for reference only , details as Specifications

TK6Q65W,S1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TK6Q65W,S1Q
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	DTMOSIV
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 180µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	60W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	5.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V