A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

TK7P65W,RQ

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TK7P65W,RQ
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	DTMOSIV
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipação de energia (Max)	60W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V