TK8Q60W,S1VQ
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | TK8Q60W,S1VQ |
Descrição: | MOSFET N CH 600V 8A IPAK |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | DTMOSIV |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | Super Junction |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 400µA |
Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 80W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | I-PAK |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 300V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 94 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.82 | $1.78 | $1.75 |
Mínimo: 1