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TK8R2A06PL,S4X

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TK8R2A06PL,S4X
Descrição: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série U-MOSIX-H
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 300µA
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 36W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.4nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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