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TPC8115(TE12L,Q,M)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | TPC8115(TE12L,Q,M) |
| Descrição: | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | U-MOSIV |
| Fet tipo | P-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 1W (Ta) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 5V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9130pF @ 10V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Em estoque 57 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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